RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
66
Rund um -120% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3019
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link