RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
66
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
14.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3055
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link