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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
66
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
9.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2553
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 9965596-023.B01G 8GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
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