RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
66
Rund um -83% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2416
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link