RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
66
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3486
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 99U5665-004.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link