RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
66
71
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
1757
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8X3600C18 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link