RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
66
Rund um -144% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
17.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
3845
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905678-139.A00G 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Lenovo 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link