A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Unterschiede

A-DATA Technology DQVE1908 512MB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 11.8
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 66
    Rund um -113% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.1 left arrow 1,557.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 6400
    Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    66 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,775.5 left arrow 11.8
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,557.9 left arrow 8.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    382 left arrow 2354
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RAM 1
RAM 2

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