RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
66
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
9.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2509
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link