RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
66
Rund um -22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.3
2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.3
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
7.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
1904
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link