RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Gesamtnote
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
66
Rund um -154% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,557.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
66
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,775.5
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,557.9
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
382
2783
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM-Vergleiche
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link