RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Vergleichen Sie
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,285.0
16.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
68
Rund um -162% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,165.3
18.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,285.0
16.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
784
3866
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2133C9 4GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link