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AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Vergleichen Sie
AMD AE34G1601U1 4GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Gesamtnote
AMD AE34G1601U1 4GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD AE34G1601U1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
67
86
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
3.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD AE34G1601U1 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
67
86
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
3.6
5.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
998
1220
AMD AE34G1601U1 4GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
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Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
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Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
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