RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Vergleichen Sie
AMD R5316G1609U2K 8GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Gesamtnote
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gesamtnote
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5316G1609U2K 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
71
73
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.5
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
71
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.3
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
5.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1309
1344
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM-Vergleiche
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link