RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Vergleichen Sie
AMD R5316G1609U2K 8GB vs SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Gesamtnote
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gesamtnote
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5316G1609U2K 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
5.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1309
1822
AMD R5316G1609U2K 8GB RAM-Vergleiche
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Ramos Technology RMB4GB584CA3-13HC 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link