RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
28
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
2018
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB RAM-Vergleiche
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link