RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.2
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.7
18.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2272
3866
AMD R534G1601U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
AMD R534G1601U1S 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link