RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
24
Rund um 21% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.0
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
17.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
4064
AMD R538G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link