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AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
83
Rund um 77% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
83
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
14.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
1752
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CAS Latency (CL) *
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CAS Latency (CL) *
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