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AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S 8GB vs Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
32
Rund um 41% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
19
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
15.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3189
2831
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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