RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
27
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.4
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
17.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
3845
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVGB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link