RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
10.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
2354
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link