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AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
30
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
11.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
5.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
1984
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM-Vergleiche
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
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