RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Vergleichen Sie
AMD R538G1601U2S-UO 8GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Gesamtnote
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.5
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.2
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.0
16.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2634
3729
AMD R538G1601U2S-UO 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link