RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
40
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
6.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
6.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2031
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link