RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
37
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
1891
AMD R5S38G1601U2S 8GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link