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AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
AMD R5S38G1601U2S 8GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
37
Rund um -6% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
37
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
11.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2581
2631
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
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