RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
47
Rund um -47% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.0
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
15.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
3593
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link