RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
47
Rund um -62% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.8
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
9.8
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
2407
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FARG 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link