RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Vergleichen Sie
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Gesamtnote
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
47
68
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.9
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
16.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2323
2007
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link