RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB vs G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Rund um 1.21% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
38
Rund um -9% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.4
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
38
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.3
11.4
Speicherbandbreite, mbps
12800
10600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2303
2960
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 99P5471-002.AOOLF 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
ASint Technology SLA302G08-GGNHC 4GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link