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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
26
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3400
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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