RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
42
Rund um 38% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3072
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link