RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
26
Rund um -13% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.8
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
12.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3091
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
CompuStocx (CSX) Compustocx (CSX) 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3600C18 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link