RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
28
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
15.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3637
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link