RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3017
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W4 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link