RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
64
Rund um 59% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
8.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2065
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link