RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
31
Rund um 16% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
14.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
3260
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link