RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
43
Rund um 40% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.5
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
11.9
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2864
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD? 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link