RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
57
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
9.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2253
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AD63I1C1624EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link