RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Vergleichen Sie
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Gesamtnote
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
56
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
9.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
12800
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.6
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
13.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
25600
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2174
2761
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link