RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.9
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.9
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
15.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3501
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link