RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
29
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
12.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2865
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link