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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
30
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.5
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
12.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
2807
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFT 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
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