RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Gesamtnote
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
6.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
27
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.8
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.7
17.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2045
3963
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB RAM-Vergleiche
Samsung F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link