RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Gesamtnote
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
21.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,034.7
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
48
Rund um -118% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,295.1
21.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,034.7
17.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
650
4142
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB RAM-Vergleiche
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Corsair CM2X2048-8500C5 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link