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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Gesamtnote
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gesamtnote
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
31
Rund um 35% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
21.4
19.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.2
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
21.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
16.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3252
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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