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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Gesamtnote
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
29
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
14.9
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3252
3673
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
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