RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Vergleichen Sie
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Gesamtnote
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
64
Rund um 69% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
20
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.1
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3252
2197
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB RAM-Vergleiche
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link