RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Vergleichen Sie
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
34
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.3
18.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.4
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
13.4
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3236
3343
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB RAM-Vergleiche
Mushkin 99[2/7/4]164(S/Y) 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link